[한국대학신문 이지희 기자] 동국대(총장 한태식)는 이 대학 융합에너지신소재공학과 노용영 교수팀이 CuI(구리 아이오딘) 소재를 이용한 상온 고성능 투명 p-type 반도체를 개발했다고 22일 밝혔다.

노 교수팀은 이를 통해 세계 최초 성능의 투명 p-type 트랜지스터 구현 기술을 확보했다. 상온공정기술로 경제성과 대량 생산성을 보여줄 이번 개발은 기술 상용화에 크게 기여할 것으로 주목된다.

투명반도체는 차세대 투명 디스플레이개발을 위해서 반드시 필요한 기술이다. 그동안은 기존의 투명 금속산화물 반도체는 전자 전달이 가능한 N-형 반도체 소재로만 사용가능해 정공전달이 가능한 P-형 투명반도체 소재가 부재했다.

이번에 개발한 CuI(구리 아이오딘) 투명 반도체는 기존 투명 산화물 반도체가 달성하지 못한 정공전달의 p-type 투명 반도체를 가능하게 해 세계 최고 수준의 트랜지스터를 가능하게 한다.

특히 기존 N-형 산화물 반도체 공정가 300~400 oC의 높은 온도에서 주로 공정되는데 반해 이번 개발 소재는 상온에서 인쇄공정을 통해서 매우 간편하게 제작할 수 있는 점이 특징이다.

동국대 연구팀은 기존의 잘 알려진 p형 반도체 소재인 CuI에 acetonitrile이라는 새로운 용매를 도입하고 두께를 정밀하게 제어함으로써 상온에서 공정가능한 p-type 반도체 소재를 개발해 고성능의 전하 이동도를 달성 했다.

최근 이러한 결과를 재료공학 분야의 세계 최고 권위지인 <Advanced Materials 紙>에 뒷면 표지논문으로 보고했다.

이번 개발 소재는 향후 투명 디스플레이나, 투명 전자회로에 폭넓게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

연구책임자인 노용영 교수는 “기존의 기술적 난제로 여겨졌던 투명 P-형 상온 공정 소재를 새로운 금속 할라이드 소재를 통해서 개발해 기술의 원천성이 매우 높다”며 “향후 지속적인 연구개발을 통해서 투명전자소자나 웨어러블 디바이스 폭넓게 적용될 수 있을 것으로 판단된다”고 밝혔다.

한편 이번 연구는 동국대학교 융합에너지 신소재 공학과 아오류 박사과정생(제1저자), 박원태 박사과정생(공동 제1저자), 김명길 중앙대 교수(공동교신저자), 노용영 교수 (교신저자)의 주도하에 이뤄졌다.