실리콘 함유량 차이에 따른 논리회로 특성 분석 규명

[한국대학신문 조영은 기자] 청주대학교(총장 차천수)는 이상렬 융합전자공학부 반도체공학전공 교수팀의 신소재 반도체인 비정질 산화물 박막 트랜지스터의 실리콘 함유량 차이에 따른 변화를 규명한 논문이 저명 학술지 최우수 논문상을 수상했다고 밝혔다.

이상렬 교수팀은 차세대 집적회로에 적용할 수 있는 비정질 산화물 박막트랜지스터 개발 및 매커니즘에 대한 논문이 ‘한국전자전기재료학회’ 주관의 학술지인 <Transactions on Electrical and Electronic Materials(TEEM, 전기전자재료분야)> 2019년 6월호에 게재됐다고 전했다.

실리콘 함유량에 따른 특성 분석과 이를 활용해 차세대 집적회로에 적용시킨 이번 논문은 우수성을 인정받아 ‘Best Paper Award’에 선정됐다. 이 상은 <TEEM>에 게재된 논문 가운데 가장 우수한 논문을 선정해 시상한다.

이 교수팀은 이번 논문을 통해 실리콘의 함유량에 따라 산소가 빠져나간 공간(산소공공)이 변화하는 것을 체계적으로 분석했으며, 이에 따른 문턱 전압(전류가 흐르기 시작하는 순간 전압)의 차이를 이용해 집적회로의 기본이 되는 Not gate와 NAND, NOR 등의 논리회로를 구성했다.

신소재 반도체인 비정질 산화물 박막 트랜지스터를 활용한 논리회로가 상용화될 경우 투명 휴대전화나 컴퓨터 등 차세대 반도체의 획기적인 발전을 기대할 수 있을 것으로 전망된다.

이상렬 교수는 “하루가 다르게 발전하는 반도체 산업에서 기존의 기술인 실리콘을 뛰어넘는 비정질 산화물 물질을 이용해 차세대 집적회로에 적용이 가능해져 다양한 분야에 직접 활용할 수 있을 것” 이라고 말했다.

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