[한국대학신문 조영은 기자] 청주대학교(총장 정성봉)는 융합전자공학부 반도체공학전공 이상렬 교수 연구팀이 최근 금속 캐핑층 구조를 이용한 고이동도의 비정질 산화물 박막 트랜지스터의 매커니즘을 규명, 세계저명 학술지에 게재했다고 밝혔다.

31일 청주대에 따르면 이 교수 연구팀은 고 이동도를 요구하는 차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로에 적용할 수 있는 고이동도를 갖는 비정질 산화물 박막트랜지스터를 개발 및 매커니즘에 대하여 분석한 논문을 최근 세계 저명 학술지인 네이처(Nature) 자매지 '사이언티픽 리포트' 온라인판에 게재했다.

차세대 디스플레이 및 차세대 집적회로 분야는 필수 요구조건인 고 이동도와 낮은 오프-전류를 필수적으로 이루어져야 하는데 이 교수 연구팀은 금속 캐핑층 구조를 이용해 고특성의 박막트랜지스터를 개발했다.

또한, 다양한 금속 물질을 캐핑층으로 사용해 그에 따른 다양한 현상들을 에너지 밴드갭 분석을 통해 직접적으로 분석했으며 효과적으로 전기적 특성 및 안정성을 조절할 수 있기 때문에 이동도의 한계와 신뢰성 문제를 해결이 가능할 것으로 기대된다.

이 논문은 이상렬 교수(책임저자)와 제1저자인 이병현 박사과정(청주대 석사 졸업생, 현재 고려대 미세소자공학협동 박사과정) 등이 공동 연구를 통해 개발했다.

이 연구는 과학기술정보통신부 지역대학우수과학자지원사업과 한국에너지기술평가원 에너지기술개발사업으로 수행됐다.

이상렬 교수는 "나날이 발전하고 있는 차세대 디스플레이 및 집적회로의 개발방향에서 가장 적합한 형태의 고이동도 고신뢰성의 박막 트랜지스터를 구현함으로써 다양한 분야에 직접적으로 적용할 수 있게 될 것"라고 말했다.