10년간 연 50억 원 연구비 수주
반도체 성능 ‘1000배 개선’ 목표

안진호 한양대 신소재공학부 교수. (사진=한양대 제공)
안진호 한양대 신소재공학부 교수. (사진=한양대 제공)

[한국대학신문 주지영 기자] 한양대학교(총장 이기정)는 H3(극한 스케일-극한 물성-이종 집적) 한계 극복 반도체 기술 연구 센터(이하 H3 연구센터)가 과학기술정보통신부에서 지원하는 선도연구센터지원사업 혁신연구센터(IRC) 사업에 최종 선정됐다고 25일 밝혔다.

이에 따라 한양대는 2023년부터 10년간 연 50억 원을 지원받아 연구를 수행한다. 선도연구센터지원사업은 기초연구를 대표하는 집단연구사업이다.

H3 연구센터는 12대 국가전략기술 분야 중 ‘반도체·디스플레이’ 부문에 선정돼 전략기술 분야 임무 중심 연구개발(R&D)을 통해 단계별로 혁신적인 연구성과를 창출할 예정이다.

아울러 센터는 EUV 노광기술과 원자층 공정, 고성능 소자구조의 핵심 IP 및 이종집적 통합설계, 첨단 패키징 핵심기술을 유기적으로 개발할 계획이다.

나아가 한양대는 12대 국가전략기술 분야의 임무 중심 R&D 역량 강화와 인재 양성을 위한 대학 역할을 강화하고, 지속 가능하고 세계적인 수준의 ‘반도체 연구거점 및 산‧학‧연 협력 체계’를 구축할 계획이다.

안진호 연구센터장은 “이번 사업 선정으로 한양대가 대한민국 반도체 초격차 기술 확보에 크게 기여할 것”이라며 “10년 내 반도체 성능 1000배 개선을 목표로 연구하겠다”고 포부를 밝혔다.

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